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產(chǎn)品系列

首頁歐美晶振ILSI晶振,ILCX13晶振,無源環(huán)保晶體

    ILSI晶振,ILCX13晶振,無源環(huán)保晶體

  • 編號：51866122
  • 頻率：10~150MHz
  • 尺寸：3.2*2.5*0.9mm
  • RoHS
  • RoHS2
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振...

　 ILSI晶振,ILCX13晶振,無源環(huán)保晶體.3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的環(huán)保晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
　石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使石英貼片晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
      ILSI America成立于1987年,其使命是成為世界級的ILSI進(jìn)口晶振供應(yīng)商.頻率控制產(chǎn)品.通過有機(jī)增長和戰(zhàn)略收購,美國ILSI 現(xiàn)在是廣泛設(shè)計(jì),制造和供應(yīng)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,涵蓋四個(gè)品牌的組件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國晶振ILSI滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn).通過以下產(chǎn)品在許多垂直市場的客戶:石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.

ILSI晶振 單位 ILCX13晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 10~150MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度 T_stg -40°C～+85°C 裸存
工作溫度 T_use 0℃~+70℃ 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 1.0μW Max. 推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差 f_— l ±30ppm +25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ylajtgs.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±50× 10-6 /-30°C～+85°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 C 8~32pF 不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
    裝載SMD產(chǎn)品
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測試,確認(rèn)其對特性沒有影響.在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到3225晶振產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
    引線類型產(chǎn)品
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí),請注意避免對基座玻璃部分施加壓力.否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化.
    保管
保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致端子軟焊性的老化.請?jiān)跊]有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管.
    其他晶體諧振器
如果過大的激勵(lì)電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)谛麄鲀?、?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.讓進(jìn)口耐高溫晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.
    晶體振蕩器
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.
     美國ILSI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
     根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.
     ILSI晶振集團(tuán)將確保其高質(zhì)量晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒? 在地方對各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
     ILSI集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. 
     ILSI晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.

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我司以“以科技為動力，以質(zhì)量求生存”為理念.               為您的產(chǎn)品量身訂制,免費(fèi)取樣,
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