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產(chǎn)品系列

首頁(yè)歐美晶振MTRONPTI晶振,M1253晶振,貼片無(wú)源晶振

    MTRONPTI晶振,M1253晶振,貼片無(wú)源晶振

  • 編號(hào)：17935531
  • 頻率：12~54MHz
  • 尺寸：3.2*2.5*0.8mm
  • RoHS
  • RoHS2
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片高精度晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)...

　   MTRONPTI晶振,M1253晶振,貼片無(wú)源晶振.3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的3225晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.
　   石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
        MtronPTI與基礎(chǔ)材料科學(xué)和制造的完全控制垂直整合,為高可靠性高性能互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)定時(shí),公共安全和軍用/航空通信與控制,儀器儀表和能源管理應(yīng)用提供解決方案.基于佛羅里達(dá)州奧蘭多市的設(shè)計(jì),銷售以及在北美,亞洲和歐洲的美國(guó)進(jìn)口晶振生產(chǎn)基地,MtronPTI是LGL集團(tuán)（NYSE MKT:LGL）的子公司.一對(duì)一的技術(shù)關(guān)系,廣泛的表征和長(zhǎng)期應(yīng)用支持使MtronPTI成為降低下一個(gè)通信系統(tǒng)或儀器項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)并降低成本的首選.

MTRONPTI晶振 單位 M1253晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 12~54MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -55°C～+125°C 裸存
工作溫度 T_use -10℃~+60℃
-10℃~+70℃
-20℃~+70℃
-40℃~+85℃		 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 1.0μW Max. 推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差 f_— l ±10ppm
±15ppm
±20ppm
±25ppm
±30ppm
±50ppm
±100ppm		 +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.ylajtgs.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±50× 10-6 /-30°C～+85°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 C 18pF，8pF~32pF 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
     電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
    輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體諧振器的地方(在20mm范圍之間).
    未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.
    熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的無(wú)源SMD晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
    安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
    通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致有源晶體無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
    激勵(lì)功率
在壓電石英晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致智能手環(huán)晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
    負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
    負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
      美國(guó)MtronPTI晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
      美國(guó)MtronPTI晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開(kāi)發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、環(huán)保晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
      通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).
      MtronPTI晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.

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前所未有的后顧無(wú)憂.                                                          消費(fèi)得到保障.
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