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愛普生的帶電壓晶振具有較寬的范圍X1G005591010600

來源：http://konuaer.com 作者：niss 2022年09月06
愛普生的帶電壓晶振具有較寬的范圍X1G005591010600，在這個快速變化的市場中，大量研發(fā)生產(chǎn)高精密的3225mm有源晶振，2520mm有源晶振，2016mm有源晶振等尺寸，為廣大用戶提供廣泛尺寸空間選擇的晶振產(chǎn)品，隨著研發(fā)技術(shù)的不斷精進(jìn)，高精密,高質(zhì)量的3225mm有源晶振被廣泛使用于各個領(lǐng)域當(dāng)中,并獲汽車電子領(lǐng)域的青睞，作為小體積晶振的代表產(chǎn)品線，3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
Product Number 進(jìn)口晶振型號 Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol. I [Max]
X1G005591008600 SG-8018CE 4.915200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591008700 SG-8018CE 1.843200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591008800 SG-8018CE 33.333000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591008900 SG-8018CE 56.602205 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591009000 SG-8018CE 36.810000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591009200 SG-8018CE 16.384000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009300 SG-8018CE 19.922944 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009400 SG-8018CE 1.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009500 SG-8018CE 15.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009600 SG-8018CE 13.333300 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009700 SG-8018CE 66.666600 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591009800 SG-8018CE 11.059200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009900 SG-8018CE 13.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010000 SG-8018CE 13.560000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010100 SG-8018CE 14.318180 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010200 SG-8018CE 18.432000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010300 SG-8018CE 19.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010400 SG-8018CE 2.048000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010500 SG-8018CE 3.686400 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010600 SG-8018CE 60.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591010700 SG-8018CE 7.372800 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010800 SG-8018CE 80.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.9 mA
X1G005591010900 SG-8018CE 16.666667 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591011000 SG-8018CE 3.580000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
愛普生的帶電壓晶振具有較寬的范圍X1G005591010600，振蕩裕量是指振蕩停止的裕量，這是振蕩電路中最重要的術(shù)語。
石英晶體振蕩器。該裕量是以晶體諧振器電阻為基礎(chǔ)的比值，表明振蕩電路放大能力的大小。理論上來說，在裕量大于或等于1時，振蕩電路可以運(yùn)行。但是，在振蕩裕量接近1時，由于振蕩啟動時間過長等原因，模塊運(yùn)行可能會失敗?？梢酝ㄟ^增加振蕩裕量來解決此類問題。
可以使用如下方法計算振蕩裕量:
振蕩裕量 [倍] = |-R|/R1spec |-R|: 負(fù)阻
R1spec: 規(guī)范中規(guī)定的晶體諧振器等效串聯(lián)電阻最大值。
請參考晶體諧振器目錄或數(shù)據(jù)表中的R1 spec值。
可以測量實際振蕩電路的負(fù)阻。
最好使振蕩裕量大于或等于5倍。

隨后愛普生晶振發(fā)布了SG-8018CE晶振，帶電壓晶振編碼X1G005591010600，頻率60.000000兆赫，輸出WaveCMOS，供電電壓1.62至3.63 V，尺寸(長×寬×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米，工作溫度-40到+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /，OSC TypeProgrammable Clock時鐘OSC，安裝TypeSurface山，型號名稱項目名稱useSG-8018CE。當(dāng)前consumption5.2馬，頻率老化1包括在頻率允許范圍內(nèi)10年，頻率老化2 n / A，對稱性:45% ~ 55%
 
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