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更多>>SPXO晶體振蕩器,SG-310晶體,有源晶振."SG-310SCF 25.0000MB3",小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
EPSON項(xiàng)目 | 符號(hào) | 規(guī)格說(shuō)明 | 條件 | |||||
SG-310 SEF | SG-310 SDF | SG-310 SCF | SG-310 SDN | SG-310 SCN | ||||
輸出 頻率范圍 |
f0 | 2.000MHz ~ 48.000MHz | 3.000MHz ~ 80.000MHz | |||||
電源電壓 | VCC |
1.8V Typ. 1.6V ~ 2.2V |
2.5V Typ. 2.2V ~ 3.0V |
3.3V Typ. 2.7V ~ 3.6V |
2.5V Typ. 2.2V ~ 2.7V |
3.3V Typ. 2.7V ~ 3.6V |
||
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 裸存 | |||||
工作溫度 | T_use | -40°C ~ +85°C | ||||||
頻率穩(wěn)定度 | f_tol | B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C | |||||
L: ±50 × 10-6, M: ±100 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | |||||||
- |
D:±20 × 10-6 , S:±25 × 10-6 |
-20°C ~ +70°C | ||||||
- | R:±25 × 10-6 | -30°C ~ +85°C | ||||||
- | P:±20 × 10-6 | -30°C ~ +85°C | ||||||
- | J:±25 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | ||||||
功耗 | ICC | 1.5mA Max. | 1.5mA Max. | 1.5mA Max. | 4.0mA Max. | 5.0mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件, 2MHz ≤ f0 ≤ 4MHz |
|
1.5mA Max. | 1.5mA Max. | 2.0mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件, 4MHz < f0 ≤ 8MHz |
|||||
1.5mA Max. | 2.0mA Max. | 2.5mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件, 8MHz < f0 ≤ 16MHz |
|||||
2.0mA Max. | 2.0mA Max. | 2.5mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件, 16MHz < f0 ≤ 25MHz |
|||||
2.0mA Max. | 2.5mA Max. | 3.5mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件, 25MHz < f0 ≤ 33MHz |
|||||
3.0mA Max. | 3.5mA Max. | 4.5mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件, 33MHz < f0 ≤ 48MHz |
|||||
- | 6.0mA Max. | 7.0mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件, 48MHz < f0 ≤ 80MHz |
|||||
待機(jī)電流 | I_std |
0.7μA Max. (0.2μA Typ.) |
1.5μA Max. (0.5μA Typ.) |
2.0μA Max. (1.0μA Typ.) |
10µA Max. | ST=GND | ||
占空比 | SYM | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 2MHz ≤ f0 ≤ 16MHz |
50% VCC極 L_CMOS ≤ 15pF |
|
40% ~ 60% | 16MHz < f0 ≤ 40MHz | |||||||
40% ~ 60% | 40MHz < f0 ≤ 80MHz | |||||||
輸出電壓 | VOH | 90% VCC Min. | IOH=-3mA | |||||
VOL | 10% VCC Max. | IOL=3mA | ||||||
輸出 負(fù)載條件 (CMOS) |
L_CMOS | 15pF Max. | ||||||
輸入電壓 | VIH | 80% VCC Min. | 70% VCC Min. | ST終端 | ||||
VIL | 20% VCC Max. | 30% VCC Max. | ||||||
上升/ 下降時(shí)間 |
tr / tf | 4ns Max. |
20% VCC ~ 80% VCC極, L_CMOS=15pF |
|||||
振蕩啟動(dòng) 時(shí)間 |
t_str | 10ms Max. | 2ms Max. | 在90% VCC 時(shí),所需時(shí)間為0秒 | ||||
頻率老化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | ±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年, VCC=1.8V, 2.5V, 3.3V |
||||
- | ±10 × 10-6 Max. | +25°C,10年 |
"SG-310SCF 25.0000MB3", 石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予正電場(chǎng)及負(fù)電場(chǎng)時(shí), 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì)相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應(yīng)正電場(chǎng)區(qū)域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng)區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予負(fù)電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì)相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場(chǎng). (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì)相對(duì)的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì)相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì)形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續(xù)給與能量, 石英材料就會(huì)與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場(chǎng)強(qiáng)度及電場(chǎng)對(duì)二氧化硅的向量角度有相對(duì)應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場(chǎng)是由鍍?cè)谑⑿酒系慕饘匐姌O產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.
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