近10年來(lái)市面上對(duì)TCXO晶振的使用量在不斷的增加,目前TCXO最小的體積可達(dá)到1.6*1.2mm,部分料號(hào)已計(jì)劃上市,大概明年會(huì)迎來(lái)新的浪潮.為了更合理的利用溫補(bǔ)晶振,一些工程師會(huì)特意的了解和學(xué)習(xí)相關(guān)的資料,因?yàn)門(mén)CXO晶振和普通的晶體或振蕩器都有一定的區(qū)別,雖然操作原理差不多,但在性能和功能方面,會(huì)更好更高.
TCXO對(duì)工程師非常有用,因?yàn)樗鼈兛梢栽诒入娐钒迳暇哂邢嗤暮驼加每臻g的標(biāo)準(zhǔn)VCXO更高的溫度穩(wěn)定性的10倍到40倍之間使用.TCXO彌合了標(biāo)準(zhǔn)XO或VCXO與OCXO之間的差距,這些差距更高,需要更多功率才能運(yùn)行.推動(dòng)技術(shù)的目標(biāo)是降低功耗,當(dāng)然還要降低成本,因此TCXO為功耗和成本敏感的應(yīng)用提供了良好的中檔解決方案.
當(dāng)需要標(biāo)準(zhǔn)XO(晶體振蕩器)或VCXO(壓控晶體振蕩器)無(wú)法達(dá)到的溫度穩(wěn)定性時(shí),TCXO石英晶振是必需的.溫度穩(wěn)定性衡量振蕩器頻率隨溫度變化的程度,并在兩種方式.一種常見(jiàn)的方法是使用加/減規(guī)格(例如:±0.28ppm對(duì)比工作溫度范圍,參考25°C-溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們,如果我們將25°C的頻率設(shè)為標(biāo)稱(chēng)頻率,則器件頻率將偏離或低于該標(biāo)稱(chēng)頻率不超過(guò)0.28ppm.這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同,即使用峰峰值或僅使用沒(méi)有參考點(diǎn)的正/負(fù)值.在第二種情況下,我們不能說(shuō)我們知道頻率高于或低于頻率將會(huì)變化多遠(yuǎn)-只是我們知道總的范圍是多少.通常,使用來(lái)自定義的參考點(diǎn)的正負(fù)值來(lái)指定設(shè)備.
圖1是不同振蕩器類(lèi)型的典型溫度穩(wěn)定性的示意圖,范圍從標(biāo)準(zhǔn)VCXO晶振的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.軸反轉(zhuǎn)使得曲線(xiàn)在增加溫度穩(wěn)定性的方向上增長(zhǎng).TCXO穩(wěn)定性范圍涵蓋VCXO與OCXO之間的中間位置(在某些情況下,與某些OCXO性能重疊).

圖1.各種振蕩器類(lèi)型的溫度穩(wěn)定性范圍

溫度穩(wěn)定性的TCXO水平(從5ppm到50ppb)通常是必要的,因?yàn)檎袷幤鲗⒈３知?dú)立工作,或者在沒(méi)有外部頻率基準(zhǔn)的系統(tǒng)中以自由運(yùn)行模式工作,或者作為合成器的固定頻率基準(zhǔn),TCXO開(kāi)環(huán)工作以驅(qū)動(dòng)DDS(直接數(shù)字合成),其中DDS而不是TCXO被“鎖定”到外部基準(zhǔn).
后一種情況(TCXO是開(kāi)環(huán),頻率設(shè)置在DDS)變得越來(lái)越普遍,因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn),與使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO相比,使用DDS解決方案可以獲得更好的頻率分辨率.因?yàn)檗D(zhuǎn)向是在DDS中而不是振蕩器中進(jìn)行的,所以設(shè)計(jì)人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞?zhǔn)電壓源的頻率如何隨溫度變化做出某些假設(shè),以便能夠相應(yīng)地規(guī)劃鎖相環(huán)的設(shè)計(jì).由于靈活性,它們?cè)试S低電壓TCXO晶振在許多頻率控制應(yīng)用中使用,但一個(gè)重要的領(lǐng)域是小小區(qū)基站(毫微微、微和微微),它們經(jīng)常被用作定時(shí)分配芯片的固定頻率源.
在非?；镜男g(shù)語(yǔ)中,TCXO通過(guò)采用溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行操作,該網(wǎng)絡(luò)檢測(cè)環(huán)境溫度并將晶體拉至其標(biāo)稱(chēng)值.基本振蕩器電路和輸出級(jí)與VCXO中的預(yù)期相同.圖2是簡(jiǎn)化的TCXO功能框圖.

圖2.TCXO功能塊

這個(gè)想法是補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)牽引網(wǎng)絡(luò),然后調(diào)整石英晶體振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補(bǔ)償?shù)木w頻率響應(yīng)溫度(紅色)就像一個(gè)三階多項(xiàng)式曲線(xiàn)(如果你使振蕩器非線(xiàn)性生效,更像是第五個(gè)),所以目標(biāo)是補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)是產(chǎn)生一個(gè)電壓,它有效地是關(guān)于晶體曲線(xiàn)的溫度軸的鏡像,以抵消溫度對(duì)晶體的影響.補(bǔ)償電壓以藍(lán)色顯示,得到的頻率/溫度曲線(xiàn)以綠色繪制.

圖3.溫度補(bǔ)償

實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時(shí)間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器的網(wǎng)絡(luò)來(lái)直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)變得不穩(wěn)定,這會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過(guò)來(lái)會(huì)改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致振蕩器的頻率發(fā)生變化.

圖4.直接補(bǔ)償

在隨后的開(kāi)發(fā)中(圖5中所示的間接補(bǔ)償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對(duì)網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進(jìn)行濾波,然后用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負(fù)載,再次導(dǎo)致頻率變化.

圖5間接補(bǔ)償

目前的方法將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和牽引網(wǎng)絡(luò)集成到一個(gè)集成電路中(如圖6所示),補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運(yùn)算放大器組成,這些運(yùn)算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補(bǔ)償方法一樣,該電壓用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,這反過(guò)來(lái)又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒(méi)有一刀切的功能,因此在溫補(bǔ)晶振的溫度測(cè)試期間得出了解決方案.兩個(gè)電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標(biāo)稱(chēng)值,然后在測(cè)試期間獲得溫度補(bǔ)償功能所需的設(shè)置并存儲(chǔ)在片上存儲(chǔ)器中.

圖6綜合補(bǔ)償

最后一種方法通常被稱(chēng)為數(shù)字控制模擬補(bǔ)償,并且在小型TCXO晶振設(shè)計(jì)中常見(jiàn),因?yàn)榭梢栽趩蝹€(gè)ASIC中提供大量功能.這個(gè)簡(jiǎn)短的介紹給了你一個(gè)概述TCXO及其實(shí)施的各種方式.

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